Բեռնվում է…
Точечные дефекты в полупроводниках : Экспериментальные аспекты /
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | , |
Ձևաչափ: | Գիրք |
Լեզու: | Russian |
Հրապարակվել է: |
Москва :
Мир,
1985.
|
Խորագրեր: | |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
LEADER | 01075nam a22002537a 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000192831 | ||
003 | AM-YeHGA | ||
005 | 20231204132841.0 | ||
008 | 950720s1985 ru |||||||||||||||||rus d | ||
040 | |a AM-YEHGA |c AM-YeHGA | ||
041 | 1 | |a rus | |
100 | 1 | |a Бургуэн, Жак. | |
245 | 1 | 0 | |a Точечные дефекты в полупроводниках : |b Экспериментальные аспекты / |c Ж. Бургуэн, М. Ланно ; Пер. Ю.М. Гальперина и др. ; Под ред. В.Л. Гуревича. |
260 | |a Москва : |b Мир, |c 1985. | ||
300 | |a 304 с. : |b ил. ; |c 21 см. | ||
504 | |a Список лит.: с 289-297 | ||
534 | |p Оригинал на англ. : |t Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects / |a J. Bourgoin, M. Lannoo- |c Berlin : Springer-Verlag : 1983 | ||
650 | 1 | 4 | |a Электричество |
700 | 1 | |a Ланно, Мишель | |
700 | 1 | |a Гальперин, Ю.М. |e пер. |4 trl | |
942 | |c BK | ||
999 | |c 68113 | ||
952 | |o PII/631516 |p 120631516 | ||
952 | |o PII/548158 |p FL0142401 |