Բեռնվում է…

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Համատեղ հեղինակներ: Ин-т физики полупроводников СО АН СССР, Ин-т неорганической химии
Այլ հեղինակներ: Александров, Л.Н (Խմբագիր, ред.)
Ձևաչափ: Գիտաժողովի նյութեր Գիրք
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1984.
Խորագրեր:
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01283nam a22002777a 4500
001 YSU0151430
003 AM-YeHGA
005 20230518114344.0
008 990605s1984 ru ||||gr|||| 00| 0 rus d
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 0 |a rus 
245 1 0 |a Рост полупроводниковых кристаллов и пленок /  |c Отв. ред. Л.Н. Александров ; АН СССР. СО. Ин-т физики полупроводников, Ин-т неорганической химии 
260 0 |a Новосибирск :  |b Наука. Сиб. отд-ние,  |c 1984. 
300 |a Ч.  
505 |g Ч. 1 (1984, 160 с.)  |t Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов 
650 1 4 |a Лазерная эпитаксия 
700 1 0 |a Александров, Л.Н.  |4 edt  |e ред. 
710 2 |a Ин-т физики полупроводников СО АН СССР 
711 2 |a Ин-т неорганической химии 
942 |2 udc  |c BK 
999 |c 58326 
952 |h Ч. 1  |o PII/519025  |p FL0199281 
952 |h Ч. 2  |o PII/519026  |p FL0199282 
952 |h Ч. 1  |o PII/522298  |p FL0185954 
952 |h Ч. 1  |o PII/522299  |p FL0185955 
952 |h Ч. 2  |o PII/522300  |p FL0185956