Բեռնվում է…
Рост полупроводниковых кристаллов и пленок /
Պահպանված է:
Համատեղ հեղինակներ: | , |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | |
Ձևաչափ: | Գիտաժողովի նյութեր Գիրք |
Լեզու: | Russian |
Հրապարակվել է: |
Новосибирск :
Наука. Сиб. отд-ние,
1984.
|
Խորագրեր: | |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
LEADER | 01283nam a22002777a 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | YSU0151430 | ||
003 | AM-YeHGA | ||
005 | 20230518114344.0 | ||
008 | 990605s1984 ru ||||gr|||| 00| 0 rus d | ||
040 | |a AM-YEHGA |c AM-YeHGA | ||
041 | 0 | |a rus | |
245 | 1 | 0 | |a Рост полупроводниковых кристаллов и пленок / |c Отв. ред. Л.Н. Александров ; АН СССР. СО. Ин-т физики полупроводников, Ин-т неорганической химии |
260 | 0 | |a Новосибирск : |b Наука. Сиб. отд-ние, |c 1984. | |
300 | |a Ч. | ||
505 | |g Ч. 1 (1984, 160 с.) |t Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов | ||
650 | 1 | 4 | |a Лазерная эпитаксия |
700 | 1 | 0 | |a Александров, Л.Н. |4 edt |e ред. |
710 | 2 | |a Ин-т физики полупроводников СО АН СССР | |
711 | 2 | |a Ин-т неорганической химии | |
942 | |2 udc |c BK | ||
999 | |c 58326 | ||
952 | |h Ч. 1 |o PII/519025 |p FL0199281 | ||
952 | |h Ч. 2 |o PII/519026 |p FL0199282 | ||
952 | |h Ч. 1 |o PII/522298 |p FL0185954 | ||
952 | |h Ч. 1 |o PII/522299 |p FL0185955 | ||
952 | |h Ч. 2 |o PII/522300 |p FL0185956 |