Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников : [Доклады конференции, США, 1978] /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Այլ հեղինակներ: Миз, Дж (Խմբագիր, ред.), Мордкович, В.Н (Խմբագիր, Ներածության հեղինակ և այլն:, ред., авт. предисл.)
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:Russian
English
Հրապարակվել է: Москва : Мир, 1982.
Շարք:Новости физики твердого тела Вып. 11
Խորագրեր:
Полупроводники > Легирование > Сборники
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01172nam a2200265 a 4500
001 000129643
003 AM-YEHGA
005 20240827013352.0
008 980903s1982 ru a|||gr|||||||||0|rus|d
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 1 |a rus  |h eng 
245 0 0 |a Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников :  |b [Доклады конференции, США, 1978] /  |c Под ред. Дж. Миза ; Пер. с англ. под ред. [и с предисл.] В.Н. Мордковича. 
246 1 5 |a Neutron transmutation doping in semiconductors 
260 |a Москва :  |b Мир,  |c 1982. 
300 |a 265 с. :  |b ил. 
440 0 |a Новости физики твердого тела  |v Вып. 11 
504 |a Библиогр. в конце докл. 
650 1 4 |a Полупроводники  |x Легирование  |v Сборники 
700 1 |a Миз, Дж.  |e ред.  |4 edt 
700 1 |a Мордкович, В.Н.  |e ред.  |4 edt  |e авт. предисл.  |4 aui 
942 |c BK 
999 |c 43898 
952 |o PII/493574  |p FL0243893 
952 |o PII/494911  |p FL0241716 
952 |o PII/562569  |p FL0119082 

Նմանատիպ նյութեր