Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Համատեղ հեղինակ: Институт физики полупроводников СО АН СССР
Այլ հեղինակներ: Александров, Леонид Наумович, Бочкова, Раиса Васильевна, Стенин, С.И (Խմբագիր, ред)
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1991.
Խորագրեր:
Физика
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01105nam a2200241 a 4500
001 000125762
003 AM-YeHGA
005 20230403110051.0
008 010107s1991 ru ||||gr|||||||||0|rus|d
020 |a 5020296961  |c   
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 0 |a rus 
245 0 0 |a Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло /  |c Л.Н. Александров, Р.В. Бочкова и др. ; Отв. ред. С.И. Стенин ; АН СССР. Сибирское отд-е. Ин-т физики полупроводников. 
260 |a Новосибирск :  |b Наука. Сиб. отд-ние,  |c 1991. 
300 |a 168 с. 
650 1 4 |a Физика 
700 1 0 |a Александров, Леонид Наумович 
700 1 |a Бочкова, Раиса Васильевна 
700 1 |a Стенин, С.И.  |e ред  |4 edt 
710 2 |a Институт физики полупроводников СО АН СССР 
942 |2 udc  |c BK 
999 |c 42422 
952 |o PII/636150  |p 120636150 

Նմանատիպ նյութեր