Легирование полупроводников методом ядерных реакций /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Համատեղ հեղինակ: Институт физики полупроводников СО АН СССР
Այլ հեղինակներ: Смирнов, Леонид Степанович, Соловьев, С.П, Стась, В.Ф, Харченко, В.А
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: Новосибирск : Наука. Сиб. отд-ние, 1981.
Խորագրեր:
Полупроводники > Легирование ядерное
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01160nam a2200265 a 4500
001 000110714
003 AM-YeHGA
005 20230403180706.0
008 950720s1981 ru ||||| |||| 00| 0 rus d
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 0 |a rus 
245 0 0 |a Легирование полупроводников методом ядерных реакций /  |c Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. 
260 |a Новосибирск :  |b Наука. Сиб. отд-ние,  |c 1981. 
300 |a 181 с. :  |b ил. ;  |c 21 см. 
650 1 4 |a Полупроводники  |x Легирование ядерное 
700 1 |a Смирнов, Леонид Степанович 
700 1 |a Соловьев, С.П. 
700 1 |a Стась, В.Ф. 
700 1 |a Харченко, В.А. 
710 2 |a Институт физики полупроводников СО АН СССР 
942 |2 udc  |c BK 
999 |c 36674 
952 |o PII/459320  |p FL0321530 
952 |o PII/462117  |p FL0318223 
952 |o PII/462168  |p FL0318351 

Նմանատիպ նյութեր