Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Համատեղ հեղինակներ: Институт физики полупроводников СО РАН, Институт катализа РАН, Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева
Այլ հեղինակներ: Гриценко, Владимир Алексеевич, Асеев, Александр Леонидович (Խմբագիր, ред.)
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: Новосибирск : Изд-во Сибирского отд-ния РАН, 2011.
Շարք:Интеграционные проекты СО РАН Вып. 31
Խորագրեր:
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01875nam a2200289 a 4500
001 000935723
003 AM-YeHGA
005 20220630175502.0
008 130204s2011 ||| r 000 0 rus d
020 |a 9785769211836 
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 0 |a rus 
245 0 0 |a Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах /  |c Российская акад. наук, Сибирское отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Ин-т неорг.химии им. А. В. Николаева, Ин-т катализа им. Г. К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В. С. Соболева. 
246 1 5 |a Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices 
260 |a Новосибирск :  |b Изд-во Сибирского отд-ния РАН,  |c 2011. 
300 |a 157 с. :  |b ил., табл. 
490 0 |a Интеграционные проекты СО РАН  |v Вып. 31 
504 |a Библиогр. в конце гл. 
650 1 4 |a Радиоэлектроника 
653 0 |a Полупроводниковые приборы 
700 1 |a Гриценко, Владимир Алексеевич 
700 1 |a Асеев, Александр Леонидович  |e ред.  |4 edt 
710 2 |a Институт физики полупроводников СО РАН 
710 2 |a Институт катализа РАН 
710 2 |a Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева 
999 |c 320180 
952 |j 127  |o PII/656332  |p FL0224288 

Նմանատիպ նյութեր