Բեռնվում է…
Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника : (Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники) /
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | Смородина, Татьяна Александровна |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Шефталь, Николай Наумович, Цуранов, Александр Павлович, Смирнов, И.А (Խմբագիր, ред.) |
Ձևաչափ: | Գիրք |
Լեզու: | Russian |
Հրապարակվել է: |
Ленинград :
Наука. Ленингр. отд-ние,
1986.
|
Խորագրեր: | |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Кинетика электронных процессов в примесных полупроводниках и полупроводниковых приборах /
Հրապարակվել է: (1987) -
Низкочастотные резонансы экситонов и примесных центров /
: Жеру, Иван Иванович
Հրապարակվել է: (1976) -
Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках /
: Берман, Лев Соломонович
Հրապարակվել է: (1981) -
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников /
: Харченко, Валерий Владимирович
Հրապարակվել է: (1979) -
Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах /
: Кристофель, Николай Николаевич
Հրապարակվել է: (1974)