Բեռնվում է…
V международная конференция "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках" : V International symposium "Structure and properties of dislocations in semiconductors": Программа и тезисы, Москва, CCCP, 17-22 март.
Պահպանված է:
| Համատեղ հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Գիտաժողովի նյութեր Գիրք |
| Լեզու: | Russian English |
| Հրապարակվել է: |
Москва :
ИФТТ,
1986.
|
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
| LEADER | 01180nam a2200229 u 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000626381 | ||
| 003 | AM-YeHGA | ||
| 005 | 20210831154219.0 | ||
| 008 | 090122s1986 ||| r 000 0 rus d | ||
| 040 | |a AM-YeHGA |c AM-YeHGA | ||
| 041 | 0 | |a rus |a eng | |
| 111 | 2 | |a "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках", междунар. конф. |n (5 ; |d 1986 ; |c Москва) | |
| 245 | 1 | 0 | |a V международная конференция "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках" : |b V International symposium "Structure and properties of dislocations in semiconductors": Программа и тезисы, Москва, CCCP, 17-22 март. |
| 246 | 3 | 1 | |a V International symposium "Structure and properties of dislocations in semiconductors" |
| 260 | |a Москва : |b ИФТТ, |c 1986. | ||
| 300 | |a 175 с. | ||
| 546 | |a Часть текста: англ. | ||
| 550 | |a АН СССР, Ин-т физики твердого тела | ||
| 653 | 0 | |a Полупроводники - Дислокации | |
| 999 | |c 218209 | ||
| 952 | |o PII/556458 |p FL0129892 | ||
| 952 | |o PII/578513 |p FL0094246 | ||