Арсенид галлия в микроэлектронике /

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Уиссмен, Уильям Ф. (Խմբագիր, авт., ред.)
Այլ հեղինակներ: Айнспрук, Н. (Խմբագիր, ред.), Мордкович, В. Н. (Թարգմանիչ, Խմբագիր, пер., ред.)
Ձևաչափ: Գիրք
Լեզու:Russian
English
Հրապարակվել է: Москва : Мир, 1988.
Խորագրեր:
Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства
Микроэлектронные схемы
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
LEADER 01262nam a2200277 a 4500
001 000060081
003 AM-YEHGA
005 20240826195249.0
008 030329s1988 ||||| |||||||||||||rus|c
020 |a 5030001301 
040 |a AM-YEHGA  |c AM-YeHGA 
041 1 |a rus  |h eng 
245 0 0 |a Арсенид галлия в микроэлектронике /  |c У. Уиссмен др. ; Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; Пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. 
260 |a Москва :  |b Мир,  |c 1988. 
300 |a 555 с. :  |b ил. ;  |c 22 см. 
504 |a Библиогр. в конце глав 
534 |p Оригинал на англ. :  |t VLSI Electronics Microstructure Science /  |a Edt. Norman G. Einspruch -  |c Orlando : Academic Press, Inc. : 1985 
650 1 4 |a Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства 
650 1 4 |a Микроэлектронные схемы 
700 1 |a Уиссмен, Уильям Ф.  |e авт.  |4 aut  |e ред.  |4 edt 
700 1 |a Айнспрук, Н.  |e ред.  |4 edt 
700 1 |a Мордкович, В. Н.  |e пер.  |4 trl  |e ред.  |4 edt 
942 |c BK 
999 |c 17636 
952 |o PII/610954  |p 120610954 
952 |o PII/585486  |p FL0080630 

Նմանատիպ նյութեր