Բեռնվում է…
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников /
Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակ: | |
---|---|
Համատեղ հեղինակ: | |
Այլ հեղինակներ: | |
Ձևաչափ: | Գիրք |
Լեզու: | Russian |
Հրապարակվել է: |
Ташкент :
Фан,
1979.
|
Խորագրեր: | |
Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
LEADER | 01025nam a2200217 u 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000415878 | ||
003 | AM-YEHGA | ||
005 | 20210831141004.0 | ||
008 | 050319s1979 ||||||||||||||||||||rus d | ||
040 | |a AM-YEHGA |c AM-YeHGA | ||
041 | 0 | |a rus | |
100 | 1 | |a Харченко, Валерий Владимирович | |
245 | 1 | 0 | |a Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников / |c В.В. Харченко, М.Р. Грейсух ; Центр. ПКТБ науч. приборостроения АН УзССР. |
260 | |a Ташкент : |b Фан, |c 1979. | ||
300 | |a 124 с. | ||
504 | |a Список лит. с. 115-121 | ||
650 | 1 | 4 | |a Полупроводники |
700 | 1 | |a Грейсух, Моисей Рувимович | |
710 | 2 | |a Центральное проектно-конструкторское и технологическое бюро научного приборостроения АН Узбекской ССР | |
999 | |c 160040 | ||
952 | |l 0 |o PII/447961 |p FL0358845 |